半导体制程之争烽烟再起，“中国芯”该如何反超？|C次元

新的征程，国产选手们依旧不能有丝毫的放松。

一直以来，业界普遍认为3nm是摩尔定律的物理极限，也是芯片制程工艺领域的珠穆朗玛峰。

为了突破芯片性能的天花板，并将摩尔定律延续下去，越来越多的芯片制造商不惜豪掷千金，持续加码高精度芯片工艺，试图在先进工艺制程的研发上抢占新一轮的最高顶点。

或许，很多人还惊讶于台积电在3nm工艺研发领域的巨额投资，或是对三星绕道过渡性的4nm、直接将5nm制程工艺上升至3nm而感到愕然。但是在最新的制程赛道上，许久没冒泡的IBM却向业界扔下一颗颇具杀伤力的“手榴弹”，炸得对手似乎有些措手不及。

最近几年，台积电和三星为了3nm工艺制程的量产明争暗斗，紧锣密鼓，没想到却被“韬光养晦”的IBM中途抢跑了。根据IBM的最新消息，该公司已在奥尔巴尼研究实验室研发出业内首个2nm制程芯片。虽然还停留在实验室阶段，量产上市还需要几年时间，但消息一出，迅速引爆舆论。

面对IBM的“挑衅”，台积电哪里坐得住。

就在对手发布消息不到一周的时间里，台积电就迫不及待地向全世界证实自己作为“老大哥”的硬实力。据悉，台积电已突破1nm以下的工艺制程，宣布与台大、MIT携手研发出半导体新材料“铋（Bi）”，能大幅降低电阻并提高传输电流。

在先进制程的竞技赛里，抢跑的明星选手们被聚光灯照耀，可谓你追我赶，丝毫不敢懈怠。但是，巨头之间的竞争越是胶着，来自大陆的选手们似乎在制程赛道上有点跟不上了，“中国芯”的反超，依旧道阻且长。

英特尔退，台积电三星进

去年7月的一次财报电话会议，时任英特尔首席执行官的司睿博（Bob Swan）被咄咄逼人的分析师们搞得焦头烂额。面对华尔街精英们一连串的犀利问题，他吞吞吐吐，不得不用冰冷低沉的声音回答：

“我们的晶圆厂，可能赶不上了。公司正考虑使用承包商来制造7nm芯片，不排除这样的情况，如果需要使用其他公司的工艺技术，我们将提前为此做好准备。”

听完这番话，几乎每一位参会的业内人士都在唏嘘中发出同样的感叹：如今的英特尔，还是昔日睥睨一切的英特尔吗？

那是英特尔的至暗时刻。

产品拖延，技术落后，就连公司内部的工程师们，也很难确保这些困难只是暂时的。

作为美国制造业的一颗明珠、乃至二十世纪美国资本神话的关键组成部分，辉煌时期的英特尔一度只生产技术最复杂、利润最高的部件，但时至今日，司睿博传递的信息不仅与公司传统背道而驰，还让外界对美国在高端制造业的领导地位产生了怀疑。

在英特尔内部，司睿博更擅长财务，在前任柯再奇（Brian Krzanich）引咎辞职以后，时任首席财务官的他临危受命，填补了柯再奇留下的领袖空白。但就在司睿博掌舵的这三年，英特尔在产品和经营上接连遭受暴击，特别是先进制程多次延迟，设计和架构方面问题频出，被台积电和三星等对手狠狠地甩在了后面。

半导体芯片主要有三类运作模式。

第一类是IDM（Integrated Device Manufacture），可以集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身，以三星、英特尔德国企业为代表；第二类是Fabless，只负责芯片的电路设计与销售，将生产、测试、封装等环节外包，以联发科、博通为代表；第三类是Foundry（代工厂），只负责制造、封装或测试的其中一个环节，最典型的是台积电和联华电子。

英特尔是IDM模式的拥趸，自成一体，拥有包括设计、制造、封装以及销售在内的完整产业链，几乎所有产业链的制造环节都能拽在手里自己干。英特尔叱咤江湖五十余载，IDM无疑是一把利剑，目前也仅有三星和德州仪器这样的芯片巨头能hold住全产业链的业务流程。

只是，成也萧何，败也萧何。

IDM模式自有其弊端。

一是，那些采用IDM模式的公司往往需要兼顾整个产业链条，既要搞好芯片设计，又要为工艺研发头疼，还要考虑产品制造等一堆事情，很难专注于研发制程，容易在制程方面“掉链子”。

就在去年，英特尔先是延期了7nm制程芯片的发布时间，把上市日期往后推延了足足半年，最早或于2022年面市，也有可能被延后至2023年。主要原因，正是7nm制程出现了缺陷，良率不及预期，实际生产进度要比公司内部的路线图落后了一年。

二是，以英特尔为代表的的IDM们，不得不扛下公司规模庞大、管理和运营成本高昂以及资本回报率低下等先天硬伤，而这些硬伤，又在英特尔这样的领头羊身上被放大，最终导致大象难转身，大船难调头。

三是，近几年的芯片行业分工越来越细，代工模式日渐吃香，英特尔的市场也不断被台积电为首的代工厂慢慢蚕食。就在英特尔对外宣布7nm制程工艺按下“慢进键”的同时，该公司也曾无奈地表示，作为紧急应变方案，他们已准备外包部分芯片制造的Plan B，使用其它企业的晶圆代工厂。

制程之争，烽烟再起

早在一年前，三星就宣布其成功攻克了3nm工艺制程的关键技术GAAFET（环绕栅极晶体管），一直到今年3月的IEEE ISSCC国际固态电路大会，该公司才对外展示了一颗采用3nm工艺制造的最新芯片，并首次对外分享了在3nm GAE MBCEFET芯片研发方面的诸多细节。

目前，GAAFET技术可以分为两种类型，一种是传统的常规GAAFET，使用纳米线作为晶体管的鳍片（fin），另一种是MBCFET（多桥沟道场效应晶体管），使用的鳍片更厚更宽。

一直以来，三星在7nm、5nm先进制程工艺上都落后于竞争对手台积电，所以该公司对于3nm制程工艺可谓寄予厚望，迫切希望能通过3nm制程实现对台积电的技术反超。

当然，对于三星来说，这颗3nm SRAM芯片也是意义非凡，它不仅代表了3nm制程工艺最新落地的里程碑，还采用了GAAFET的MBCFET技术，在晶体管结构上实现了新的突破。根据三星电子副总裁Taejoong Song传递的信息，新的芯片具有“高速度、低功耗和小面积”的优势，容量为256Mb（32MB），面积为56平方毫米。

值得一提的是，台积电和三星在7nm制程以前均采用FinFET技术（鳍式场效晶体管），但是从5nm制程开始，FinFET工艺极限的瓶颈就逐渐显现出来。在3nm制程芯片的实现路径上，三星决定用MBCFEF替代传统的FinFET，预计于明年量产，但台积电却依旧坚持FinFET技术，对传统技术进行改进，暂定于今年下半年投入试产，计划于明年实现量产。

台积电和三星还在为3nm制程厮杀激烈，这几年闷声不吭的IBM却在今年5月突然放了个大招，发布了2nm芯片制程技术。消息一出，业界哗然，很多人至今似乎还无法相信，世界上首个2nm制程芯片，竟然是默默无闻的IBM最先发布的！

按照IBM的几组数据指标，其2nm制程工艺与当下较为先进的7nm相比，性能将提升45%，功耗降幅则高达75%。

最新技术能在指甲盖大小（约150mm）的芯片上安装500亿个晶体管，高于2017年该公司官宣5nm时突破的300亿，与此同时，也是台积电5nm的两倍。IBM甚至声称，这项最新的制程技术可将手机电池寿命支撑到现有的四倍，在未来，手机只需要一次充满电，就可以使用整整四天的时间。

从晶体管峰值密度来说，IBM最新发布的3nm制程约为每平方毫米3.33亿晶体管（MTr/mm2），而横向对比，目前台积电3nm制程工艺的预估逻辑密度峰值也仅有每平方毫米2.92亿晶体管。

如果一切顺利，IBM的2nm制程工艺有望在2023年下半年开始风险性试产，最快将在2024年进入量产阶段。值得一提的是，2024年也是台积电2nm工艺芯片预估量产的时间，该公司预计其2nm工艺芯片能在2023年达到90%的良率，如若一切顺利，最快将于2024年实现量产。

可以看出，虽然台积电目前已超越英特尔和三星，成为全球市值最大的半导体公司，并稳坐全球最大芯片代工厂的宝座，但其对于先进制程的焦虑却始终存在。要知道，成立至今三十余年，台积电在很长一段时间里都保持着对先进制程的绝对领先，而其竞争对手也在大浪淘沙里逐渐分化，最大的敌人早已不是昔日的联电，而是英特尔与三星。

面对IBM和三星的制程野心，台积电终于还是坐不住了。IBM前脚才刚刚官宣2nm制程研发成功，台积电后脚就在相关领域有了最新动作，高调宣布与台湾大学和麻省理工大学共同发表了研发成果，并反复强调自己能利用半金属铋（Bi）作为二维材料的接触电极，在1nm以下制程方面取得了巨大突破。